薄膜电容损耗频率特性

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 薄膜电容器逐批检验的主要技术指标有:电容量、损耗(损耗角正切值)、绝缘电阻、耐电压、可焊性、外观等,在这些指标中电容器的损耗是一个重要的指标,它直接影响薄膜

电容器的产品质量、合格率,影响企业的经济效益。薄膜电容器的损耗不是一个固定的数值,它随测试频率不同而不同,本文就薄膜电容器的损耗与测试频率的关系做一探讨。

薄膜电容器损耗频率特性      

按照国家标准,测试薄膜电容器损耗tgδ时仪表的测试电压档设为0.1V或0.3V,测试频率为1KHZ,聚酯薄膜电容器的损耗要求≤0.0080,聚薄膜电容器的损耗tgδ要求≤0.0010。这些电容器往往用于直流、使用电压较低、使用频率较小的场合。但是,有些电子仪器设备使用场合如彩电行逆程电路、开关电源电路等,它们的使用频率较高在几十KHZ左右,而且有的电路有交流成分,因此要求电容器高频性能要好,即电容器在高频条件下的损耗要小。如果高频损耗大,电容器在使用过程中,电容器自身就要消耗能量,引起电容器芯子发热,终导致电容器芯子薄膜收缩,电容器失效。

薄膜电容器的高频损耗随测试频率的增加而增加,两者之间不是线性关系;聚薄膜电容器的高频损耗要比聚酯电容器的高频损耗小。由于聚薄膜电容器的高频损耗小,因此聚薄膜电容器适用于高频电路场合。

对于每个电容我们要了解清楚,才能更好的运用。

关键词:薄膜电容器,安规陶瓷电容

摘要:聚薄膜电容器的高频损耗要比聚酯电容器的高频损耗小。由于聚薄膜电容器的高频损耗小,因此聚薄膜电容器适用于高频电路场合。

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